微纳尺度热输运的理论与实验研究

讲座名称：微纳尺度热输运的理论与实验研究

讲座人：杨荣贵 教授

讲座时间：2月24日10:00

讲座地点：南校区G420

讲座人介绍：

杨荣贵博士, 华中科技大学能源学院二级教授， 美国机械工程师学会会士。杨荣贵博士于1996年获得西安交通大学热能工程学士学位，1999年清华大学热能工程系工程热物理专业硕士学位，2001年加州大学洛杉矶校区微机电系统工程硕士学位，2006年麻省理工学院机械工程系博士学位。自2006年1月起在美国科罗拉多大学博尔德校区机械工程系任职13年，杨荣贵博士历任助理教授、副教授（提前两年获得终身教职、冠名教授）、终身正教授。因其在能源和传热学领域的创新研究，杨荣贵博士于2008年入选《科技评论》评选的35位“世界顶尖青年发明家” (TR35)，曾获得美国科学基金委杰出青年教授奖，美国国防部高级研究计划署青年学者奖美国机械工程师学会传热学Bergles-Rohsenow青年学者奖，国际热电学会青年学者奖和戈德史密斯奖，2017年《物理世界》评选的“全球十大物理突破”，科睿唯安 “全球高被引科学家”。杨荣贵博士于2020年度获得每两年遴选一位的在热能科学与工程领域做出重大成就的Nukiyama Memorial Award 国际热科学纪念奖。杨荣贵博士已发表了包括4篇Science、4篇Nature Materials、3篇 Science Advances、4篇 Joule、1篇Review of Modern Physics在内的200余篇期刊论文。 ISI Web of Science（SCI）引用> 20000次，H指数为70（Google学术总引用次数 > 27000次， H指数为81）。杨荣贵博士受邀举办过100余场学术讲座，发表了200多次会议演讲。杨荣贵博士在其教学与研究生涯中，已经培养了30多位博士生和博士后，其中20余位被中国科学院、上海交通大学、华中科技大学、东南大学、大连理工大学、吉林大学等985院校聘为副教授、教授。

讲座内容：

随着电子器件特征尺度的减小与芯片功能的增强，局部热流密度高达1 kW/cm2（每平方厘米千瓦级），芯片与电子系统的散热面临着前所未有的挑战。深刻理解半导体材料与器件的微观产热机理、电-热输运和界面热阻等对电子器件的热管理至关重要。本报告将着重介绍本课题组在微纳尺度热输运的理论与实验研究的一些进展和对芯片热管理的一些见解与展望：

1） 利用第一性原理计算和深度学习等计算方法，研究声子-声子及电子-声子相互作用，精确预测半导体材料的热导率、电子迁移率及电子-声子之间的热驰豫过程。

2）在实验方面，基于时域热反射法(TDTR)测量，利用变光斑法、椭圆光斑法、双频率法能够准确测定如SiC、Ga2O3等第三、四代半导体的各向异性热导率张量、薄膜热导率及界面热阻。

主办单位：先进材料与纳米科技学院